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Jul 04, 2023

Projeto ETMOS para desenvolvimento de Díodos e Transístores ultrarrápidos...

O carboneto de silício (SiC) e os nitretos do grupo III (GaN, AlN, InN e suas ligas) desempenham um papel crucial na conversão de energia com eficiência energética, na eletrônica de alta frequência e na optoeletrônica. Ao combinar o

O carboneto de silício (SiC) e os nitretos do grupo III (GaN, AlN, InN e suas ligas) desempenham um papel crucial na conversão de energia com eficiência energética, na eletrônica de alta frequência e na optoeletrônica. Ao combinar a tecnologia madura desses semicondutores de banda larga com as propriedades excepcionais de materiais 2D, como grafeno e dichalcogenetos de metais de transição (especificamente dissulfeto de molibdênio (MoS2)), os pesquisadores podem desenvolver diodos e transistores ultrarrápidos.

De abril de 2020 a março de 2023, investigadores do CNR-IMM (Itália), CNRS-CRHEA (França), IEE-SAS (Eslováquia), MFA-EK (Hungria) e da Universidade de Palermo (Itália) colaboraram no FLAG- Projeto ERA ETMOS para construção de dispositivos conceituais baseados em MoS2, SiC e nitreto de gálio (GaN).

O destaque do projeto ETMOS foi o desenvolvimento de diodos de heterojunção MoS2/SiC e MoS2/GaN com excelentes propriedades de retificação. A injeção de corrente ajustável foi obtida adaptando a dopagem de superfícies MoS2 ou SiC (GaN).

O projeto ETMOS tem divulgado ativamente os seus resultados científicos através de vários meios, incluindo a publicação deles em revistas de acesso aberto com revisão por pares, a participação em conferências internacionais e a organização de um simpósio na European Materials Research Society (EMRS) Fall Meeting 2022.

“A integração de materiais 2D fornece novas funcionalidades para SiC e GaN, ampliando a gama de aplicações potenciais desses semicondutores de banda larga. Espero que novas oportunidades de mercado sejam abertas por esta tecnologia”, afirma Filippo Giannazzo, Diretor de Pesquisa do CNR-IMM.

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